PBSS5230PAP,115, биполярные транзисторы - bjt 30v 2a pnp/pnp lo vcesat transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 30V 2A PNP/PNP lo VCEsat transistor
Производитель:
NEXPERIA
Артикул:
PBSS5230PAP,115
Описание PBSS5230PAP,115
| Упаковка | Reel |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | DFN2020-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 1450 mW |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 95 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 370 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 260 |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 75 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара