SIA430DJT-T1-GE3, МОП-транзистор 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70
Цена от:
43,96 руб.
Нет в наличии
Описание SIA430DJT-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SC-70-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SIA |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 0.75 mm |
| Длина | 2.05 mm |
| Ширина | 2.05 mm |
| Вес изделия | 49.363 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 19.2 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Технология | Si |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13.5 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIA430DJT-T1-GE3 , МОП-транзистор 20V Vds 20V Vgs Thin PowerPAK SC-70
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара