NSS20201MR6T1G, Биполярные транзисторы - BJT 2A 20V Low VCEsat

Код товара: 10255416

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
NSS20201MR6T1G
Производитель:

Описание NSS20201MR6T1G

СерияNSS20201MR6
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Высота0.94 mm
Длина3 mm
Ширина1.5 mm
Вид монтажаSMD/SMT
Вес изделия20 mg
ECCNEAR99
Упаковка / блокTSOP-6
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
ТехнологияSi
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности460 mW
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)200 MHz
Непрерывный коллекторный ток2 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.15 V

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка NSS20201MR6T1G , Биполярные транзисторы - BJT 2A 20V Low VCEsat в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 257
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.