2SA2169-E, биполярные транзисторы - bjt bip pnp 10a 50v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SA2169-E
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | 2SA2169 |
| Упаковка | Bulk |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 290 mV |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 13 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара