2SC3646T-TD-E, биполярные транзисторы - bjt bip npn 1a 100v

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1A 100V
Код товара: 10262888
Дата обновления: 18.10.2021 08:20
Доставка 2SC3646T-TD-E , Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1A 100V в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
Boxberry
от 2 раб. дней
от 166
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 311
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 1457
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 1 раб. дня
от 300
СДЭК
от 1 раб. дня
от 120
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание 2SC3646T-TD-E

Серия2SC3646
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Вес изделия51.300 mg
ECCNEAR99
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаSMD/SMT
КонфигурацияSingle
Pd - рассеивание мощности1.3 W
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)120 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Максимальный постоянный ток коллектора2 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)120 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.1 V