2SC3646T-TD-E, биполярные транзисторы - bjt bip npn 1a 100v
Описание 2SC3646T-TD-E
Серия | 2SC3646 |
---|---|
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вес изделия | 51.300 mg |
ECCN | EAR99 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Конфигурация | Single |
Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара