2SD1618T-TD-E, биполярные транзисторы - bjt bip npn 0.7a 15v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 0.7A 15V
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
2SD1618T-TD-E
Описание 2SD1618T-TD-E
| Серия | 2SD1618 |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-243-3 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 1.3 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.7 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 80 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара