STQ2LN60K3-AP, МОП-транзистор N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STQ2LN60K3-AP
Описание STQ2LN60K3-AP
| Упаковка | Ammo Pack |
|---|---|
| Серия | STQ2LN60K3-AP |
| Вес изделия | 220 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 21 ns |
| Время нарастания | 8.5 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 23.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара