IGB30N60T, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) low loss igbt tech 600v 30a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IGB30N60T
Описание IGB30N60T
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | TRENCHSTOP IGBT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 2 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Длина | 10 mm |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Ширина | 9.25 mm |
| Высота | 4.4 mm |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Pd - рассеивание мощности | 187 W |
| Технология | Si |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара