PMH550UNEH, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
PMH550UNEH
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 30V, 0.77A, DFN0606; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:770mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV
Нормоупаковка:
10000 шт
Цена от:
3,31 руб.
Нет в наличии
Описание PMH550UNEH
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Вес изделия | 0.456 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | DFN-0606-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 710 mW |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 770 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 670 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 0.4 nC |
| Время спада | 2 ns |
| Время нарастания | 2 ns |
| Типичное время задержки выключения | 4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 1 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.2 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка PMH550UNEH
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара