HN1B04FE-GR,LF, биполярные транзисторы - bjt transistor for low freq sm-signal amp
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
HN1B04FE-GR,LF
Описание HN1B04FE-GR,LF
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Серия | HN1B04 |
Вес изделия | 3 mg |
ECCN | EAR99 |
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Технология | Si |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V, - 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz, 80 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара