IGW15T120, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 15A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 15A
Артикул:
IGW15T120
Производитель:
Описание IGW15T120
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | TRENCHSTOP IGBT |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Высота | 21.1 mm |
| Длина | 16.03 mm |
| Ширина | 5.16 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 6.150 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 30 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Непрерывный коллекторный ток | 30 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара