QS8J1TR, МОП-транзистор P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание QS8J1TR
| Продукт | MOSFET Small Signal |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSMT-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 3 mm |
| Ширина | 2.4 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 177.636 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 29 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 P-Channel |
| Время спада | 215 ns |
| Время нарастания | 75 ns |
| Типичное время задержки выключения | 390 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара