PBSS4112PANP.115, биполярные транзисторы - bjt 120v 1a npn/pnp lo vcesat transistor
Биполярные транзисторы - BJT 120V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor
Производитель:
NEXPERIA
Артикул:
PBSS4112PANP.115
Описание PBSS4112PANP.115
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | DFN2020-6 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Конфигурация | Dual |
Pd - рассеивание мощности | 1450 mW |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz, 100 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 305, 375 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 240, 190 |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 90 mV, - 150 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара