FQI7N80TU, МОП-транзистор 800V N-Channel QFET
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
351,14 руб.
Нет в наличии
Описание FQI7N80TU
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FQI7N80 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 7.88 mm |
| Длина | 10.29 mm |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Тип | MOSFET |
| Ширина | 4.83 mm |
| Вес изделия | 2.084 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 3.13 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 55 ns |
| Время нарастания | 80 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 95 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FQI7N80TU , МОП-транзистор 800V N-Channel QFET
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 275 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
