IXFT60N65X2HV
Цена от:
1 125,06 руб.
Нет в наличии
Описание IXFT60N65X2HV
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-268HV-3 |
| Упаковка | Tube |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Серия | 650V Ultra Junction X2 |
| Вес изделия | 4 g |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 23 ns |
| Время спада | 12 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 780 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 52 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Qg - заряд затвора | 108 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 23 S |
| Типичное время задержки выключения | 63 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFT60N65X2HV
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара