2SAR502U3HZGT106, биполярные транзисторы - bjt trans digital pnp
Описание 2SAR502U3HZGT106
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
ECCN | EAR99 |
Квалификация | AEC-Q101 |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 520 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 |
Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара