TPN30008NH,LQ, моп-транзистор n-ch 80v 22a 27w umosviii 710pf 11nc
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TPN30008NH,LQ
Описание TPN30008NH,LQ
| Упаковка / блок | TSON-8 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 3.1 mm |
| Ширина | 3.1 mm |
| Высота | 0.85 mm |
| Серия | TPN30008NH |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 20 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 27 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVIII-H |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 22 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 3.6 ns |
| Время нарастания | 3.8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара