SQJ958EP-T1_GE3, моп-транзистор dual 60v powerpak aec-q101 qualified
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание SQJ958EP-T1_GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | SQ |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 233.750 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8-4 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 29.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Время спада | 7 ns |
| Время нарастания | 12 ns |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара