BFU530XRR, рч биполярные транзисторы npn wideband silicon rf transistor
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
Производитель:
NXP / Philips
Артикул:
BFU530XRR
Описание BFU530XRR
Упаковка | Reel, Cut Tape |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Технология | Si |
Тип | Wideband RF Transistor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Вес изделия | 8.810 mg |
ECCN | EAR99 |
Диапазон рабочих температур | 40 C to + 150 C |
Рабочая частота | 900 MHz |
Упаковка / блок | SOT143B-4 |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 16 V |
Непрерывный коллекторный ток | 10 mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
Pd - рассеивание мощности | 450 mW |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 24 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 65 mA |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 11 GHz |
Тип транзистора | Bipolar Wideband |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара