TK65E10N1,S1X, моп-транзистор 100v n-ch pwr fet 148a 192w 5400pf
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TK65E10N1,S1X
Описание TK65E10N1,S1X
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Высота | 15.1 mm |
| Длина | 10.16 mm |
| Серия | TK65E10N1 |
| Ширина | 4.45 mm |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 192 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 19 ns |
| Время спада | 26 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 148 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 44 ns |
| Qg - заряд затвора | 81 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара