MT3S111P(TE12L,F), рч биполярные транзисторы rf bipolar transistor .1a 1w
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
РЧ биполярные транзисторы RF Bipolar Transistor .1A 1W
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
MT3S111P(TE12L,F)
Описание MT3S111P(TE12L,F)
| Технология | SiGe |
|---|---|
| Серия | MT3S111P |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 50 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SC-62-3 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 6 V |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Рабочая частота | 8 GHz |
| Полярность транзистора | NPN |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 0.6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара