TK2Q60D(Q), моп-транзистор n-ch mos 2a 600v 60w 280pf 4.3 ohm
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TK2Q60D(Q)
Описание TK2Q60D(Q)
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | PW-Mold2-3 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Высота | 7 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | TK2Q60D |
| Ширина | 2.3 mm |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.3 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара