QST3TR, биполярные транзисторы - bjt bipolar pnp vce 30v 5a
Описание QST3TR
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Серия | QST3 |
ECCN | EAR99 |
Pd - рассеивание мощности | 1250 mW |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Ширина | 1.6 mm |
Технология | Si |
Полярность транзистора | PNP |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 at 500 mA, 2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара