SQJ956EP-T1_GE3, моп-транзистор n ch 60vds 20vgs aec-q101 qualified
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание SQJ956EP-T1_GE3
| Вес изделия | 506.600 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SQ |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8-4 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 34 W |
| Время спада | 6 ns, 6 ns |
| Время нарастания | 11 ns, 11 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 22.3 mOhms, 22.3 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Qg - заряд затвора | 30 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns, 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns, 8 ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 19 S, 19 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара