FCD360N65S3R0, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FCD360N65S3R0
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 650V, 10A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.31ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Pow
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
163,84 руб.
Внешние склады
-
44+ 64+ 127+ 635+200,09 ₽ 172,54 ₽ 168,19 ₽ 163,84 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 44Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FCD360N65S3R0
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 83 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 360 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FCD360N65S3R0
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара