FCMT199N60, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FCMT199N60
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 20.2A, 600V, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20.2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; P
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
319,96 руб.
Внешние склады
-
22+ 32+ 64+ 320+ 1596+397,78 ₽ 343,02 ₽ 334,37 ₽ 325,72 ₽ 319,96 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 22Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FCMT199N60
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | FCMT199N60 |
| Минимальная рабочая температура | 50 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 8 mm |
| Упаковка / блок | Power-88-4 |
| Ширина | 8 mm |
| Вес изделия | 449.030 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 199 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, 30 V |
| Коммерческое обозначение | SuperFET II |
| Типичное время задержки выключения | 64 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 20 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FCMT199N60
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара