FCP099N65S3, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FCP099N65S3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.079ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V;
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
235,55 руб.
Внешние склады
-
32+ 46+ 91+280,22 ₽ 241,64 ₽ 235,55 ₽Срок:25 днейНаличие:419Минимум:Мин: 32Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FCP099N65S3
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | FCP099N65S3 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 1.800 g |
| ECCN | EAR99 |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 5 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 227 W |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 79 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 61 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 19 S |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FCP099N65S3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара