FCPF150N65F, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FCPF150N65F
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 24A, TO-220F-3L; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.133ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
В упаковке:
1000 шт
Цена от:
591,83 руб.
Нет в наличии
Описание FCPF150N65F
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Серия | FCPF150N65F |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 2.270 g |
| Длина | 10.36 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Высота | 16.07 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 94 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FCPF150N65F
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 254 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2213 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 716 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 363 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 217 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара