FCPF190N60, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
139,14 руб.
Нет в наличии
Описание FCPF190N60
| Серия | FCPF190N60 |
|---|---|
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 2.270 g |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 16.07 mm |
| Длина | 10.36 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 199 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 74 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | SuperFET II |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FCPF190N60
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 254 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2213 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 716 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 363 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 217 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара