FDB20N50F, Транзистор MOSFET одиночный

Код товара: 1028950

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDB20N50F
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 20A, 500V, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power
Нормоупаковка:
800 шт

Описание FDB20N50F

СерияFDB20N50F
ECCNEAR99
Вид монтажаSMD/SMT
Упаковка / блокTO-263-3
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Коммерческое обозначениеUniFET
Вес изделия1.762 g
Длина10.67 mm
Ширина9.65 mm
Высота4.83 mm
ТехнологияSi
Полярность транзистораN-Channel
Количество каналов1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Id - непрерывный ток утечки20 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток260 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Qg - заряд затвора50 nC
Pd - рассеивание мощности250 W
Канальный режимEnhancement
КонфигурацияSingle
Тип транзистора1 N-Channel
Время спада60 ns
Время нарастания120 ns
Типичное время задержки выключения100 ns
Типичное время задержки при включении45 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.25 S

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDB20N50F в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 147
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.