FDBL86066-F085, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDBL86066-F085
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, H-PSOF; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:185A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2
Нормоупаковка:
2000 шт
Цена от:
307,03 руб.
Внешние склады
-
23+ 34+ 67+ 333+ 1664+381,71 ₽ 329,16 ₽ 320,86 ₽ 312,56 ₽ 307,03 ₽Срок:25 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 23Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FDBL86066-F085
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | H-PSOF-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 240 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 69 nC |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 9 ns |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDBL86066-F085
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара