FDD86113LZ, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDD86113LZ
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 5.5A, 100V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.087ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V;
В упаковке:
2500 шт
Цена от:
58,40 руб.
Нет в наличии
Описание FDD86113LZ
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | FDD86113LZ |
| Вес изделия | 260.370 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 104 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDD86113LZ
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 310 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
