FDMS3660S, Транзистор MOSFET одиночный

Код товара: 1028999

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDMS3660S
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 60A, POWER 56-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Нормоупаковка:
3000 шт

Описание FDMS3660S

УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
СерияFDMS3660S
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Высота1.1 mm
Длина6 mm
Упаковка / блокPower-56-8
Ширина5 mm
Вес изделия171 mg
ECCNEAR99
Вид монтажаSMD/SMT
Количество каналов2 Channel
Pd - рассеивание мощности2.2 W, 2.5 W
КонфигурацияDual
ТехнологияSi
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки13 A, 30 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8 mOhms, 1.8 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, 12 V
Коммерческое обозначениеPower Stage PowerTrench
Тип транзистора2 N-Channel

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDMS3660S в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 210
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.