FDMS3660S, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDMS3660S
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 60A, POWER 56-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
В упаковке:
3000 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
94,92 ₽
Нет в наличии
Описание FDMS3660S
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | FDMS3660S |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 6 mm |
| Упаковка / блок | Power-56-8 |
| Ширина | 5 mm |
| Вес изделия | 171 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.2 W, 2.5 W |
| Конфигурация | Dual |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A, 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 mOhms, 1.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, 12 V |
| Коммерческое обозначение | Power Stage PowerTrench |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDMS3660S
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара