FDMT800150DC, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDMT800150DC
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 150V, 99A, PQFN;
В упаковке:
3000 шт
Цена от:
484,73 руб.
Нет в наличии
Описание FDMT800150DC
| Серия | FDMT800150DC |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Вес изделия | 248.520 mg |
| Упаковка / блок | Power-33-8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Длина | 3.3 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Высота | 0.8 mm |
| Время спада | 9.3 ns |
| Время нарастания | 16 ns |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 99 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 77 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-channel |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 31 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 48 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDMT800150DC
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 254 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2213 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 716 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 363 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 217 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара