FDN537N, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDN537N
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 30V, 8A, SUPERSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; Po
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
29,62 руб.
Внешние склады
-
243+ 354+ 703+ 3516+36,17 ₽ 31,19 ₽ 30,41 ₽ 29,62 ₽Срок:25 днейНаличие:6 000Минимум:Мин: 243Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FDN537N
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 8 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 30 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1.2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,5 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 2.92мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 6 нКл при 10 В |
| Высота | 0.94мм |
| Ширина | 1.4мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDN537N
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 210 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара