FDP150N10A-F102, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDP150N10A-F102
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 100V, 50A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
Нормоупаковка:
800 шт
Цена от:
112,68 руб.
Нет в наличии
Описание FDP150N10A-F102
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FDP150N10A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Высота | 16.3 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 1.800 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 91 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDP150N10A-F102
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 210 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара