FDP20N50F, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDP20N50F
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N CH, 500V, 20A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
168,02 руб.
Внешние склады
-
44+ 64+ 128+199,88 ₽ 172,36 ₽ 168,02 ₽Срок:25 днейНаличие:600Минимум:Мин: 44Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FDP20N50F
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | FDP20N50F |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 1.800 g |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 10.67 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Высота | 16.3 mm |
| Коммерческое обозначение | UniFET |
| Время нарастания | 120 ns |
| Время спада | 60 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 65 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDP20N50F
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 210 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара