FQA13N80-F109, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FQA13N80-F109
Производитель:
Описание Eng:
Single N-Channel 800 V 0.75 Ohm 88 nC 300 W DMOS Flange Mount Mosfet - TO-3PN
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
314,55 руб.
Внешние склады
-
24+ 35+ 69+374,19 ₽ 322,68 ₽ 314,55 ₽Срок:25 днейНаличие:330Минимум:Мин: 24Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FQA13N80-F109
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FQA13N80_F109 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 20.1 mm |
| Длина | 16.2 mm |
| Упаковка / блок | TO-3PN-3 |
| Ширина | 5 mm |
| Вес изделия | 6.401 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 110 ns |
| Время нарастания | 150 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 750 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Коммерческое обозначение | QFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 155 ns |
| Типичное время задержки при включении | 60 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FQA13N80-F109
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 132 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара