FQT1N60CTF-WS, Транзистор MOSFET одиночный

Код товара: 1029117

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQT1N60CTF-WS
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 0.2A, SOT-223-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):9.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
Нормоупаковка:
8000 шт

Описание FQT1N60CTF-WS

Вид монтажаSMD/SMT
Упаковка / блокSOT-223-4
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
СерияFQT1N60C
Вес изделия112 mg
ECCNEAR99
Коммерческое обозначениеQFET
Pd - рассеивание мощности2.1 W
Высота1.8 mm
Длина6.5 mm
Ширина3.5 mm
ТехнологияSi
Полярность транзистораN-Channel
Количество каналов1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Id - непрерывный ток утечки200 mA
Rds Вкл - сопротивление сток-исток11.5 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Qg - заряд затвора6.2 nC
Канальный режимEnhancement
КонфигурацияSingle
Тип транзистора1 N-Channel
Время спада27 ns
Время нарастания21 ns
Типичное время задержки выключения13 ns
Типичное время задержки при включении7 ns

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FQT1N60CTF-WS в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 160
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.