FCP650N80Z, МОП-транзистор 800V 10A NChn МОП-транзистор SuperFET II
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
179,23 руб.
Нет в наличии
Описание FCP650N80Z
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FCP650N80Z |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 16.3 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.7 mm |
| Вес изделия | 1.800 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 162 W |
| Конфигурация | Single with ESD Protection Diode |
| Технология | Si |
| Время спада | 3.4 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 650 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Коммерческое обозначение | SuperFET II |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 27 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.8 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FCP650N80Z , МОП-транзистор 800V 10A NChn МОП-транзистор SuperFET II
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2180 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара