TPN11006NL.LQ, моп-транзистор u-mosviii-h 60v 37a 23nc моп-транзистор
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC МОП-транзистор
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TPN11006NL.LQ
Описание TPN11006NL.LQ
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TSON-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | TPN11006NL |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVIII-H |
| Вес изделия | 20 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 37 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 0.85 mm |
| Длина | 3.1 mm |
| Ширина | 3.1 mm |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 7.1 ns |
| Время нарастания | 4 ns |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара