2SD1801S-E, биполярные транзисторы - bjt bip npn 2a 50v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SD1801S-E
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Серия | 2SD1801 |
| Упаковка | Bulk |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара