NSS40300DDR2G, Транзистор одиночный биполярный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NSS40300DDR2G
Производитель:
Описание Eng:
653mW PNP 3A 40V SOIC-8 Single Bipolar Transistors RoHS
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
83,29 руб.
Внешние склады
-
87+ 125+ 250+ 1249+101,71 ₽ 87,71 ₽ 85,50 ₽ 83,29 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 87Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NSS40300DDR2G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | NSS40300DD |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 5 mm |
| Упаковка / блок | SOIC-Narrow-8 |
| Ширина | 4 mm |
| Вес изделия | 143 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 783 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.135 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 10 mA at 2 V |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NSS40300DDR2G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара