NTHL190N65S3HF, Транзистор на основе карбида кремния
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTHL190N65S3HF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 650V, 20A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.165ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Powe
В упаковке:
30 шт
Цена от:
316,52 руб.
Нет в наличии
Описание NTHL190N65S3HF
| Серия | SuperFET3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Коммерческое обозначение | SuperFET III |
| Вес изделия | 5.457 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 162 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 14 ns |
| Время нарастания | 19 ns |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTHL190N65S3HF
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1216 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 385 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 217 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
