NTMFS4C10NT1G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTMFS4C10NT1G
Производитель:
Описание Eng:
N CHANNEL MOSFET, 30V, DFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; Power
В упаковке:
1500 шт
Цена от:
53,06 руб.
Нет в наличии
Описание NTMFS4C10NT1G
| Серия | NTMFS4C10N |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 107.200 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 23.6 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 46 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Qg - заряд затвора | 18.6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 7 ns |
| Время нарастания | 34 ns |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 43 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTMFS4C10NT1G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара