NTMFS5C430NT1G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTMFS5C430NT1G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 40V, 185A, DFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:185A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Powe
В упаковке:
1500 шт
Цена от:
40,77 руб.
Нет в наличии
Описание NTMFS5C430NT1G
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 107.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 185 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 47 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 106 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 48 ns |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 130 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTMFS5C430NT1G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара