NTMFS5C645NLT1G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTMFS5C645NLT1G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, DFN;
Нормоупаковка:
1500 шт
Цена от:
73,74 руб.
Нет в наличии
Описание NTMFS5C645NLT1G
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | NTMFS5C645NL |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | SO-FL-8 |
| Вес изделия | 107.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 79 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.3 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 105 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTMFS5C645NLT1G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара