NTMFS5H414NLT1G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTMFS5H414NLT1G
Производитель:
Описание Eng:
N-Channel 40V 210A Surface Mount SO-8FL
В упаковке:
1500 шт
Цена от:
344,04 руб.
Нет в наличии
Описание NTMFS5H414NLT1G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | SO-8FL |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 11.6 ns |
| Время нарастания | 52.3 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 210 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 38.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 75 nC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTMFS5H414NLT1G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара