NTMFS6H800NLT1G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTMFS6H800NLT1G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 80V, 224A, DFN;
В упаковке:
1500 шт
Цена от:
151,62 руб.
Нет в наличии
Описание NTMFS6H800NLT1G
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | DFN-5 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 214 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 163 ns |
| Время нарастания | 153 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 224 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Qg - заряд затвора | 112 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 250 S |
| Типичное время задержки выключения | 118 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTMFS6H800NLT1G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара